MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STL130N6LF7, VDSS 60 V, ID 96 A, Modo de mejora, PowerFLAT de 8

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Código RS:
800-463
Referência do fabricante:
STL130N6LF7
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

96A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PowerFLAT

Serie

STH285N10F8-6AG

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.8mΩ

Modo de canal

Modo de mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

93W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.4nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

5mm

Certificaciones y estándares

ECOPACK

Longitud

6mm

Altura

1mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics utiliza la tecnología STripFET F7 con una estructura de puerta de trinchera mejorada que resulta en una resistencia de estado encendido muy baja, al tiempo que reduce la capacidad interna y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.

Uno de los RDS(on) más bajos del mercado

Excelente FoM (cifra de mérito)

Baja relación Crss/Ciss para inmunidad a EMI

Alta robustez ante avalanchas

Nivel lógico VGS(th)

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