MOSFET de potencia, N-Canal STMicroelectronics STL320N4F8, VDSS 40 V, ID 350 A, PowerFLAT de 8 pines
- Código RS:
- 330-577
- Referência do fabricante:
- STL320N4F8
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Obtenha um desconto por quantidade
Adicione mais 10 para poupar 2,50 €
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
2,30 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 2970 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Poupança |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 2,30 € | - |
| 10 - 99 | 2,05 € | 2,50 € |
| 100 - 499 | 1,93 € | 37,00 € |
| 500 - 999 | 1,76 € | 270,00 € |
| 1000 + | 1,59 € | 710,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 330-577
- Referência do fabricante:
- STL320N4F8
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 350A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | STL | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.85mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 188W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 6mm | |
| Anchura | 4.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 350A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie STL | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.85mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 188W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 6mm | ||
Anchura 4.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: Não aplicável
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de STMicroelectronics, diseñado en tecnología STripFET F8, presenta una estructura de puerta de zanja mejorada. Ofrece una figura de mérito de última generación con una resistencia de estado activado muy baja, capacitancias internas y carga de puerta reducidas, lo que permite una conmutación más rápida y eficiente.
100 % a prueba de avalancha
Carga de puerta baja Qg
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STL325N4F8AG, VDSS 40 V, ID 350 A, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET de potencia, N-Canal STMicroelectronics STL220N4F8, VDSS 40 V, ID 203 A, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET de potencia, N-Canal STMicroelectronics STL305N4F8AG, VDSS 40 V, ID 290 A, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET de potencia, N-Canal STMicroelectronics STL140N4LF8, VDSS 40 V, ID 144 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET de potencia, N-Canal STMicroelectronics STL270N6LF7, VDSS 60 V, ID 268 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET de potencia, N-Canal STMicroelectronics ST8L65N065DM9, VDSS 650 V, ID 44 A, N, PowerFlat HV de 5 pines
- MOSFET de potencia, N-Canal STMicroelectronics ST8L65N050DM9, VDSS 650 V, ID 35 A, N, PowerFlat HV de 5 pines
- MOSFET de potencia, N-Canal STMicroelectronics STL130N6LF7, VDSS 60 V, ID 96 A, Modo de mejora, PowerFLAT de 8 pines