MOSFET IXYS IXFH20N50P3, VDSS 500 V, ID 20 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 802-4363
Referência do fabricante:: IXFH20N50P3
Fabricante:: IXYS

MOSFET IXYS IXFH20N50P3, VDSS 500 V, ID 20 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 802-4363
Referência do fabricante:: IXFH20N50P3
Fabricante:: IXYS

IXFA20N50P3, IXFP20N50P3, IXFQ20N50P3, IXFH20N50P3, Polar3 HiPerFET, Power MOSFETs, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	500 V
Serie	HiperFET, Polar3
Tipo de Encapsulado	TO-247
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	300 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Disipación de Potencia Máxima	380 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	16.26mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	36 nC a 10 V
Ancho	5.3mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Altura	21.46mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET IXYS IXFH20N50P3, VDSS 500 V, ID 20 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™