MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF530NPBF, VDSS 100 V, ID 17 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 541-0755
- Número do artigo Distrelec:
- 303-41-282
- Referência do fabricante:
- IRF530NPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 541-0755
- Número do artigo Distrelec:
- 303-41-282
- Referência do fabricante:
- IRF530NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 17A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 90mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 37nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 70W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 8.77mm | |
| Longitud | 10.54mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 17A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 90mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 37nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 70W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 8.77mm | ||
Longitud 10.54mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 17 A, disipación de potencia máxima de 70 W - IRF530NPBF
Este MOSFET de alta potencia está diseñado para aplicaciones de conmutación eficientes, ofreciendo un rendimiento robusto en diversos entornos. Su configuración de modo de mejora de canal N lo hace adecuado para numerosas aplicaciones electrónicas y eléctricas en las que es crucial una gestión eficaz de la corriente. Las especificaciones clave lo sitúan como un componente importante en los modernos sistemas de automatización y control.
Características y ventajas
• La baja resistencia a la conexión de 90mΩ mejora la eficiencia
• Corriente de drenaje máxima de 17 A
• Temperatura de funcionamiento de -55°C a +175°C
• La rápida velocidad de conmutación reduce las pérdidas de energía
• El diseño robusto mejora la fiabilidad bajo carga
• El versátil encapsulado TO-220AB facilita la integración
Aplicaciones
• Gestión de la energía en la automatización industrial
• Integración en circuitos de control de motores
• Utilización en sistemas de alimentación para regular la tensión
• Aplicación en convertidores e inversores de alta eficiencia
• Adecuado para electrónica de consumo que requiere soporte de carga dinámica
¿Se requiere una tensión de puerta específica para un funcionamiento óptimo?
El dispositivo funciona eficazmente con un rango de tensión puerta-fuente de -20 V a +20 V, garantizando una funcionalidad de conmutación fiable.
¿Cuál es la capacidad máxima de corriente de drenaje de impulsos de este dispositivo?
La corriente de drenaje pulsada máxima es de 60 A, lo que permite condiciones transitorias sin comprometer la integridad del dispositivo.
¿Cómo afectan los valores de resistencia térmica al rendimiento?
Con una resistencia térmica de la unión a la carcasa de 2,15 °C/W, la disipación eficaz del calor es vital para mantener el rendimiento durante el funcionamiento con cargas elevadas.
¿Qué consideraciones debo tener para soldar este componente?
La temperatura de soldadura recomendada es de 300°C durante 10 segundos. Es importante seguir esta pauta para evitar daños.
MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
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