MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF530NPBF, VDSS 100 V, ID 17 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 541-0755
Número do artigo Distrelec:: 303-41-282
Referência do fabricante:: IRF530NPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF530NPBF, VDSS 100 V, ID 17 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 unidade)*

0,67 €

Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €

Em stock

82 unidade(s) pronta(s) para enviar
Mais 1365 unidade(s) preparada(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição

Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)	Por unidade
1 - 24	0,67 €
25 - 49	0,56 €
50 - 99	0,52 €
100 - 249	0,47 €
250 +	0,44 €

*preço indicativo

Código RS:: 541-0755
Número do artigo Distrelec:: 303-41-282
Referência do fabricante:: IRF530NPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.

Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	17A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	TO-220
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	90mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	70W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	37nC
	Tensión directa Vf	1.3V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	10.54mm
	Altura	8.77mm
	Anchura	4.69 mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 17A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Serie HEXFET
	Encapsulado TO-220
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 90mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 70W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 37nC
	Tensión directa Vf 1.3V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 10.54mm
	Altura 8.77mm
	Anchura 4.69 mm
	Estándar de automoción No

Inicie sessão para fazer o download dos modelos CAD

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 17 A, disipación de potencia máxima de 70 W - IRF530NPBF

Este MOSFET de alta potencia está diseñado para aplicaciones de conmutación eficientes, ofreciendo un rendimiento robusto en diversos entornos. Su configuración de modo de mejora de canal N lo hace adecuado para numerosas aplicaciones electrónicas y eléctricas en las que es crucial una gestión eficaz de la corriente. Las especificaciones clave lo sitúan como un componente importante en los modernos sistemas de automatización y control.

Características y ventajas

• La baja resistencia a la conexión de 90mΩ mejora la eficiencia

• Corriente de drenaje máxima de 17 A

• Temperatura de funcionamiento de -55°C a +175°C

• La rápida velocidad de conmutación reduce las pérdidas de energía

• El diseño robusto mejora la fiabilidad bajo carga

• El versátil encapsulado TO-220AB facilita la integración

Aplicaciones

• Gestión de la energía en la automatización industrial

• Integración en circuitos de control de motores

• Utilización en sistemas de alimentación para regular la tensión

• Aplicación en convertidores e inversores de alta eficiencia

• Adecuado para electrónica de consumo que requiere soporte de carga dinámica

¿Se requiere una tensión de puerta específica para un funcionamiento óptimo?

El dispositivo funciona eficazmente con un rango de tensión puerta-fuente de -20 V a +20 V, garantizando una funcionalidad de conmutación fiable.

¿Cuál es la capacidad máxima de corriente de drenaje de impulsos de este dispositivo?

La corriente de drenaje pulsada máxima es de 60 A, lo que permite condiciones transitorias sin comprometer la integridad del dispositivo.

¿Cómo afectan los valores de resistencia térmica al rendimiento?

Con una resistencia térmica de la unión a la carcasa de 2,15 °C/W, la disipación eficaz del calor es vital para mantener el rendimiento durante el funcionamiento con cargas elevadas.

¿Qué consideraciones debo tener para soldar este componente?

La temperatura de soldadura recomendada es de 300°C durante 10 segundos. Es importante seguir esta pauta para evitar daños.

MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.