MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 50 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 325-7625
- Referência do fabricante:
- RFP50N06
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
1,93 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 187 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,93 € |
| 10 + | 1,67 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 325-7625
- Referência do fabricante:
- RFP50N06
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | MegaFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 22mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 131W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 125nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Altura | 9.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.83 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie MegaFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 22mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 131W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 125nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.67mm | ||
Altura 9.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.83 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor
El proceso MegaFET, que utiliza tamaños similares a los de los circuitos integrados LSI, proporciona un uso óptimo del silicio, lo que ofrece un rendimiento extraordinario.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi RFP50N06, VDSS 60 V, ID 50 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 17 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 33 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 265 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 70 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 30 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 47 A, Mejora, TO-220 de 3 pines