Memoria DDR SDRAM S27KS0643GABHV020, 64Mbit, 200MHZ, Montaje superficial, FBGA, 24 pines DDR
- Código RS:
- 201-7969
- Referência do fabricante:
- S27KS0643GABHV020
- Fabricante:
- Infineon
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- 201-7969
- Referência do fabricante:
- S27KS0643GABHV020
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tamaño de la Memoria | 64Mbit | |
| Organización | 8M x 8 | |
| Clase SDRAM | DDR | |
| Transmisión de Datos | 200MHZ | |
| Ancho del Bus de Datos | 8bit | |
| Ancho del Bus de Direcciones | 16bit | |
| Número de Bits de Palabra | 8bit | |
| Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo | 35ns | |
| Número de Palabras | 8M | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Encapsulado | FBGA | |
| Conteo de Pines | 24 | |
| Dimensiones | 8 x 6 x 1mm | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 8mm | |
| Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 1,7 V | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +105 °C | |
| Ancho | 6mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C | |
| Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 2 V | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tamaño de la Memoria 64Mbit | ||
Organización 8M x 8 | ||
Clase SDRAM DDR | ||
Transmisión de Datos 200MHZ | ||
Ancho del Bus de Datos 8bit | ||
Ancho del Bus de Direcciones 16bit | ||
Número de Bits de Palabra 8bit | ||
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo 35ns | ||
Número de Palabras 8M | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Encapsulado FBGA | ||
Conteo de Pines 24 | ||
Dimensiones 8 x 6 x 1mm | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 8mm | ||
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima 1,7 V | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +105 °C | ||
Ancho 6mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C | ||
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento 2 V | ||
Cypress Semiconductor S27KL0642/S27KS0642 es una HyperRAM de 64 Mb que es una DRAM de actualización automática CMOS de alta velocidad con interfaz Hyper Bus. La matriz de la DRAM utiliza celdas dinámicas que requieren una actualización periódica. La lógica de control de actualización que se encuentra dentro del dispositivo, administra las operaciones de actualización en la matriz DRAM cuando el Master (host) de interfaz de Hyper Bus (Hyper Bus) no lee ni escribe activamente la memoria. La matriz DRAM aparece en el host como si la memoria utilizara celdas estáticas que conserven los datos sin actualizar, ya que el host no es necesario para administrar ninguna operación de actualización. Por lo tanto, esta memoria se llama con mayor precisión o se puede describir como RAM pseudo estática (PSRAM).
Rango de temperaturas: -40 °C a +85 °C.
Ancho de banda de interfaz (Mbps): 400Mbps
Compatible con RoHS
Ancho de banda de interfaz (Mbps): 400Mbps
Compatible con RoHS
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