Infineon Memoria DDR SDRAM S27KS0643GABHV020, 64 MB, Superficie, FBGA 8 bit, 24 pines

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Código RS:
201-7969
Referência do fabricante:
S27KS0643GABHV020
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tamaño de la memoria

64MB

Tipo de producto

Memoria DDR SDRAM

Organización

8M x 8 Bit

Ancho del bus de datos

8bit

Número de líneas de bus

16bit

Número de bits por palabra

8

Frecuencia del reloj máxima

200MHz

Tiempo de acceso aleatorio máximo

35ns

Número de palabras

8K

Tipo de montaje

Superficie

Encapsulado

FBGA

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Número de pines

24

Temperatura de funcionamiento máxima

105°C

Altura

1mm

Serie

S27KS0643

Certificaciones y estándares

No

Longitud

8mm

Anchura

8 mm

Tensión de alimentación máxima

2V

Estándar de automoción

No

Tensión de alimentación mínima

1.7V

Cypress Semiconductor S27KL0642/S27KS0642 es una HyperRAM de 64 Mb que es una DRAM de actualización automática CMOS de alta velocidad con interfaz Hyper Bus. La matriz de la DRAM utiliza celdas dinámicas que requieren una actualización periódica. La lógica de control de actualización que se encuentra dentro del dispositivo, administra las operaciones de actualización en la matriz DRAM cuando el Master (host) de interfaz de Hyper Bus (Hyper Bus) no lee ni escribe activamente la memoria. La matriz DRAM aparece en el host como si la memoria utilizara celdas estáticas que conserven los datos sin actualizar, ya que el host no es necesario para administrar ninguna operación de actualización. Por lo tanto, esta memoria se llama con mayor precisión o se puede describir como RAM pseudo estática (PSRAM).

Rango de temperaturas: -40 °C a +85 °C.

Ancho de banda de interfaz (Mbps): 400Mbps

Compatible con RoHS

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