MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 74 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 919-4772
- Referência do fabricante:
- IRF4905PBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
71,40 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
- 150 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
- Mais 23.450 unidade(s) para enviar a partir do dia 11 de setembro de 2026
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,428 € | 71,40 € |
| 100 - 200 | 1,357 € | 67,85 € |
| 250 - 450 | 1,30 € | 65,00 € |
| 500 - 950 | 1,214 € | 60,70 € |
| 1000 + | 1,142 € | 57,10 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 919-4772
- Referência do fabricante:
- IRF4905PBF
- Fabricante:
- Infineon
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 74A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 180nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 200W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -1.6V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.54mm | |
| Altura | 8.77mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.69mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 74A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 180nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 200W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -1.6V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.54mm | ||
Altura 8.77mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.69mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 74 A, disipación de potencia máxima de 200 W - IRF4905PBF
Características y ventajas
Aplicaciones
¿Cómo beneficia la baja resistencia de conexión al diseño de circuitos?
¿Qué significa utilizar un encapsulado TO-220AB?
¿Puede este componente soportar entornos de alta temperatura?
¿Qué tipo de aplicaciones requieren la elevada corriente de drenaje continua de este MOSFET?
¿Cómo influye la tensión de umbral de puerta en su rendimiento?
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRF4905PBF, VDSS 55 V, ID 74 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 74 A, Mejora, TO-262 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRF4905LPBF, VDSS 55 V, ID 74 A, Mejora, TO-262 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 12 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 19 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRF5305PBF, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRF9Z24NPBF, VDSS 55 V, ID 12 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
