MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 74 A, Mejora, TO-262 de 3 pines
- Código RS:
- 913-3913
- Referência do fabricante:
- IRF4905LPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 tubo de 50 unidades)*
106,25 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 300 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 2,125 € | 106,25 € |
| 100 - 200 | 1,657 € | 82,85 € |
| 250 - 450 | 1,551 € | 77,55 € |
| 500 - 950 | 1,445 € | 72,25 € |
| 1000 + | 1,338 € | 66,90 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 913-3913
- Referência do fabricante:
- IRF4905LPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 74A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | TO-262 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 180nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.8W | |
| Tensión directa Vf | -1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 4.83mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 10.54mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 74A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado TO-262 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 180nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.8W | ||
Tensión directa Vf -1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 4.83mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 10.54mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MX
MOSFET Infineon serie HEXFET, -70A máxima corriente de drenaje continua, 3,8W máxima disipación de potencia - IRF4905LPBF
Este MOSFET de Infineon presenta una configuración de canal P y es capaz de manejar -70 A de corriente de drenaje continua con una tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V. Está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento, especialmente en circuitos electrónicos que requieren una gestión eficaz de la energía y una alta eficiencia. Es adecuado para usuarios de los sectores de la automatización y la electrónica, ya que ofrece un funcionamiento fiable en diversos entornos.
Características y ventajas
• Mayor rendimiento a altas temperaturas, hasta +175°C
• RDS(on) bajo para reducir las pérdidas de potencia durante el funcionamiento
• Capacidad de conmutación rápida para mejorar la eficacia
• Tolera condiciones de avalancha repetitivas sin fallar
• Características de carga de puerta eficaces para mejorar la capacidad de respuesta del circuito
Aplicaciones
• Se utiliza en circuitos de gestión de potencia para dispositivos de bajo consumo
• Ideal para el control de motores de corriente continua sin escobillas
• Aplicable en electrónica de automoción para aumentar la fiabilidad
• Adecuado para sistemas de automatización industrial que requieren componentes robustos
¿Qué tipo de tensión se puede manejar durante el funcionamiento?
Puede manejar una tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de tensión moderada a alta.
¿Este aparato puede funcionar a temperaturas elevadas?
Sí, tiene un rango de temperatura de funcionamiento de -55 °C a +175 °C, lo que le permite funcionar en condiciones extremas.
¿Cómo beneficia la baja RDS(on) al diseño de circuitos?
El bajo RDS(on) reduce las pérdidas por conducción, lo que se traduce en una mayor eficiencia y una menor generación de calor en aplicaciones de potencia.
¿Es compatible este componente con los diseños típicos de placas de circuito impreso?
Sí, está diseñado para el montaje a través de orificios, lo que permite una integración perfecta en los diseños de PCB estándar utilizados en diversos diseños electrónicos.
¿Cuáles son los valores de tensión umbral de puerta de este MOSFET?
El voltaje umbral de puerta máximo es de 4V, y el mínimo de 2V, lo que garantiza que tu circuito conmute correctamente a voltajes bajos.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRF4905LPBF, VDSS 55 V, ID 74 A, Mejora, TO-262 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 74 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRF4905PBF, VDSS 55 V, ID 74 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 38 A, Mejora, I2PAK (TO-262) de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 49 A, TO-262
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRF5210LPBF, VDSS 100 V, ID 38 A, Mejora, I2PAK (TO-262) de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFZ44NSTRLPBF, VDSS 55 V, ID 49 A, TO-262
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 110 A, TO-262 de 3 pines