MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRF5305PBF, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 541-1736
- Número do artigo Distrelec:
- 303-41-281
- Referência do fabricante:
- IRF5305PBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 unidade)*
1,85 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
- Mais 172 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de setembro de 2026
- Mais 40 unidade(s) para enviar a partir do dia 05 de outubro de 2026
- Mais 2000 unidade(s) para enviar a partir do dia 21 de janeiro de 2027
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,85 € |
| 10 - 49 | 1,57 € |
| 50 - 99 | 1,48 € |
| 100 - 249 | 1,38 € |
| 250 + | 1,27 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 541-1736
- Número do artigo Distrelec:
- 303-41-281
- Referência do fabricante:
- IRF5305PBF
- Fabricante:
- Infineon
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 31A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 60mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20, +20V | |
| Tensión directa Vf | -1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 4.69mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.54mm | |
| Altura | 8.77mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 31A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 60mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20, +20V | ||
Tensión directa Vf -1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 4.69mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.54mm | ||
Altura 8.77mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 31 A, disipación de potencia máxima de 110 W - IRF5305PBF
Características y ventajas
Aplicaciones
¿Cuál es el intervalo de temperatura de funcionamiento?
¿Cómo afecta el tipo de envase al rendimiento?
¿Puede soportar aplicaciones de corriente de drenaje pulsada?
¿Qué tipo de transistor es?
¿Es compatible con procesos de montaje automatizados?
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRFU5305PBF, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFIZ44NPBF, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRFR5305TRLPBF, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
