MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 12 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 919-4858
Referência do fabricante:: IRF9Z24NPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 12 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:: 919-4858
Referência do fabricante:: IRF9Z24NPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	12A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	55V
	Encapsulado	TO-220
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	175mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	-1.6V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	19nC
	Disipación de potencia máxima Pd	45W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Longitud	10.54mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	8.77mm
	Anchura	4.69 mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 12A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V
	Encapsulado TO-220
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 175mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf -1.6V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19nC
	Disipación de potencia máxima Pd 45W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Longitud 10.54mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 8.77mm
	Anchura 4.69 mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origem):: CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 12 A, disipación de potencia máxima de 45 W - IRF9Z24NPBF

Este MOSFET de alto rendimiento está diseñado para una gestión eficiente de la energía en diversas aplicaciones. Con una configuración de canal P, es muy adecuado para la conmutación controlada y el flujo de corriente mejorado. El producto desempeña un papel crucial en el accionamiento de cargas de alta potencia, garantizando un rendimiento constante y estabilidad térmica en condiciones difíciles.

Características y ventajas

• Corriente de drenaje continua máxima de 12 A

• Tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V

• Bajo RDS(on) de 175mΩ para reducir la pérdida de potencia

• Funciona tanto con tensión de puerta-fuente negativa como positiva

Aplicaciones

• Se utiliza en sistemas de gestión de la energía para la automatización

• Empleado en fuentes de alimentación conmutadas para electrónica

• Beneficioso en amplificadores de audio para mejorar el rendimiento

• Común en varios aparatos electrónicos de consumo para un uso eficiente de la energía

¿Cuál es la carga de puerta típica para un rendimiento óptimo?

La carga de puerta típica es de 19nC a una tensión puerta-fuente de 10V, lo que proporciona unas características de conmutación eficaces.

¿Cómo afecta el tipo de canal a la funcionalidad?

Como MOSFET de canal P, permite una mejor integración en aplicaciones de conmutación de lado alto, ampliando los posibles escenarios de uso en circuitos de potencia.

¿Qué importancia tiene el intervalo de temperaturas?

El rango de temperaturas de funcionamiento de -55 °C a +175 °C garantiza la fiabilidad en diversos entornos, lo que lo hace versátil para distintas aplicaciones industriales.

¿Puede utilizarse en aplicaciones de conmutación de alta frecuencia?

Sí, la combinación de baja carga de puerta y resistencia lo hace apropiado para aplicaciones de alta frecuencia, mejorando la eficiencia del rendimiento.

¿Qué consideraciones deben tenerse en cuenta para la instalación?

Garantice una correcta gestión térmica y un montaje adecuado para facilitar una disipación eficaz del calor, lo que puede aumentar la longevidad y la fiabilidad del funcionamiento.