MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 12 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 919-4858
- Referência do fabricante:
- IRF9Z24NPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 919-4858
- Referência do fabricante:
- IRF9Z24NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 175mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 45W | |
| Tensión directa Vf | -1.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 8.77mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.54mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 175mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 45W | ||
Tensión directa Vf -1.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 8.77mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.54mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 12 A, disipación de potencia máxima de 45 W - IRF9Z24NPBF
Este MOSFET de alto rendimiento está diseñado para una gestión eficiente de la energía en diversas aplicaciones. Con una configuración de canal P, es muy adecuado para la conmutación controlada y el flujo de corriente mejorado. El producto desempeña un papel crucial en el accionamiento de cargas de alta potencia, garantizando un rendimiento constante y estabilidad térmica en condiciones difíciles.
Características y ventajas
• Corriente de drenaje continua máxima de 12 A
• Tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V
• Bajo RDS(on) de 175mΩ para reducir la pérdida de potencia
• Funciona tanto con tensión de puerta-fuente negativa como positiva
Aplicaciones
• Se utiliza en sistemas de gestión de la energía para la automatización
• Empleado en fuentes de alimentación conmutadas para electrónica
• Beneficioso en amplificadores de audio para mejorar el rendimiento
• Común en varios aparatos electrónicos de consumo para un uso eficiente de la energía
¿Cuál es la carga de puerta típica para un rendimiento óptimo?
La carga de puerta típica es de 19nC a una tensión puerta-fuente de 10V, lo que proporciona unas características de conmutación eficaces.
¿Cómo afecta el tipo de canal a la funcionalidad?
Como MOSFET de canal P, permite una mejor integración en aplicaciones de conmutación de lado alto, ampliando los posibles escenarios de uso en circuitos de potencia.
¿Qué importancia tiene el intervalo de temperaturas?
El rango de temperaturas de funcionamiento de -55 °C a +175 °C garantiza la fiabilidad en diversos entornos, lo que lo hace versátil para distintas aplicaciones industriales.
¿Puede utilizarse en aplicaciones de conmutación de alta frecuencia?
Sí, la combinación de baja carga de puerta y resistencia lo hace apropiado para aplicaciones de alta frecuencia, mejorando la eficiencia del rendimiento.
¿Qué consideraciones deben tenerse en cuenta para la instalación?
Garantice una correcta gestión térmica y un montaje adecuado para facilitar una disipación eficaz del calor, lo que puede aumentar la longevidad y la fiabilidad del funcionamiento.
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