MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRF9Z24NPBF, VDSS 55 V, ID 12 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
541-0799
Número do artigo Distrelec:
303-41-312
Referência do fabricante:
IRF9Z24NPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

175mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

-1.6V

Disipación de potencia máxima Pd

45W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

8.77mm

Anchura

4.69 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.54mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 12 A, disipación de potencia máxima de 45 W - IRF9Z24NPBF


Este MOSFET de alto rendimiento está diseñado para una gestión eficiente de la energía en diversas aplicaciones. Con una configuración de canal P, es muy adecuado para la conmutación controlada y el flujo de corriente mejorado. El producto desempeña un papel crucial en el accionamiento de cargas de alta potencia, garantizando un rendimiento constante y estabilidad térmica en condiciones difíciles.

Características y ventajas


• Corriente de drenaje continua máxima de 12 A

• Tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V

• Bajo RDS(on) de 175mΩ para reducir la pérdida de potencia

• Funciona tanto con tensión de puerta-fuente negativa como positiva

Aplicaciones


• Se utiliza en sistemas de gestión de la energía para la automatización

• Empleado en fuentes de alimentación conmutadas para electrónica

• Beneficioso en amplificadores de audio para mejorar el rendimiento

• Común en varios aparatos electrónicos de consumo para un uso eficiente de la energía

¿Cuál es la carga de puerta típica para un rendimiento óptimo?


La carga de puerta típica es de 19nC a una tensión puerta-fuente de 10V, lo que proporciona unas características de conmutación eficaces.

¿Cómo afecta el tipo de canal a la funcionalidad?


Como MOSFET de canal P, permite una mejor integración en aplicaciones de conmutación de lado alto, ampliando los posibles escenarios de uso en circuitos de potencia.

¿Qué importancia tiene el intervalo de temperaturas?


El rango de temperaturas de funcionamiento de -55 °C a +175 °C garantiza la fiabilidad en diversos entornos, lo que lo hace versátil para distintas aplicaciones industriales.

¿Puede utilizarse en aplicaciones de conmutación de alta frecuencia?


Sí, la combinación de baja carga de puerta y resistencia lo hace apropiado para aplicaciones de alta frecuencia, mejorando la eficiencia del rendimiento.

¿Qué consideraciones deben tenerse en cuenta para la instalación?


Garantice una correcta gestión térmica y un montaje adecuado para facilitar una disipación eficaz del calor, lo que puede aumentar la longevidad y la fiabilidad del funcionamiento.

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