MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB200N25N3GATMA1, VDSS 250 V, ID 64 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 898-6870
- Referência do fabricante:
- IPB200N25N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- 898-6870
- Referência do fabricante:
- IPB200N25N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 64A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 250V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 64nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.31mm | |
| Altura | 4.57mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 64A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 250V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 64nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.31mm | ||
Altura 4.57mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: Não aplicável
MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corriente de drenaje continua máxima de 64 A, disipación de potencia máxima de 300 W - IPB200N25N3GATMA1
Características y ventajas
Aplicaciones
¿Qué medidas deben tomarse para garantizar un rendimiento óptimo durante la instalación?
¿Puede utilizarse este componente en aplicaciones que requieran una conmutación rápida?
¿Existe un diseño de circuito específico recomendado para un uso óptimo?
¿Qué hay que tener en cuenta en relación con las condiciones ambientales durante el funcionamiento?
¿Cómo se comporta este MOSFET en condiciones de carga pesada?
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