MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 250 V, ID 17 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
165-5608
Referência do fabricante:
IPB17N25S3100ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

17A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

250V

Encapsulado

TO-263

Serie

OptiMOS-T

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

100mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

107W

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.4mm

Anchura

9.25 mm

Longitud

10mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: Não aplicável

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de potencia OptiMOS™ T de Infineon


Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

Canal N - Modo de mejora

Certificación AEC Q101 para automoción

MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Producto ecológico (compatible con RoHS)

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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