MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB64N25S320ATMA1, VDSS 250 V, ID 64 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
171-1959
Referência do fabricante:
IPB64N25S320ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

64A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

250V

Encapsulado

TO-263

Serie

IPB64N25S3-20

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

20mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

67nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.4mm

Anchura

10.25 mm

Longitud

10mm

Estándar de automoción

AEC

El Infineon IPB64N25S3-20 es el MOSFET de automoción de canal N de 250V V. El tipo de encapsulado del dispositivo es la temperatura de funcionamiento de D2PAK 3pin y 175 °C.

Canal N - Modo de mejora

Calificación AEC

MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C

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