MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SI4946BEY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 6.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*

10,38 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Encomendas inferiores a 80,00 € (IVA exc.) têm um custo de 7,00 €.
Fora de stock temporariamente
  • Envio de 1620 unidade(s) a partir do dia 02 de março de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
5 - 452,076 €10,38 €
50 - 1201,764 €8,82 €
125 - 2451,664 €8,32 €
250 - 4951,558 €7,79 €
500 +1,452 €7,26 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
787-9027
Referência do fabricante:
SI4946BEY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

52mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17nC

Disipación de potencia máxima Pd

3.7W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Aislado

Anchura

4 mm

Longitud

5mm

Altura

1.55mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N doble, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Links relacionados