MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI3493DDV-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 8 A, Mejora, TSOP de 6 pines
- Código RS:
- 134-9713
- Referência do fabricante:
- SI3493DDV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 25 unidades)*
3,80 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 1950 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 0,152 € | 3,80 € |
| 250 - 600 | 0,144 € | 3,60 € |
| 625 - 1225 | 0,13 € | 3,25 € |
| 1250 - 2475 | 0,122 € | 3,05 € |
| 2500 + | 0,114 € | 2,85 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 134-9713
- Referência do fabricante:
- SI3493DDV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | TSOP | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 51mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 34.8nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.6W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 3.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.7 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado TSOP | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 51mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 34.8nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.6W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 3.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.7 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal P, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 20 V, ID 8 A, Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI3433CDV-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 6 A, Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI3477DV-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 8 A, Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI3421DV-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 8 A, Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay Si3129DV-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 5.4 A, Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI3473CDV-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 8 A, Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal SI3993CDV-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 2.3 A, TSOP, Mejora de 6 pines, 2, config.
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 8 A, Mejora, TSOP de 6 pines