MOSFET onsemi, N-Canal FQA44N30, VDSS 300 V, ID 43 A, TO-3PN, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 808-8988
- Referência do fabricante:
- FQA44N30
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 808-8988
- Referência do fabricante:
- FQA44N30
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 300 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 43 A | |
| Encapsulado | TO-3PN | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 3 | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Altura | 20.1 mm | |
| Longitud | 15.8 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 69 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V, -30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Serie | QFET | |
| Anchura | 5 mm | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 300 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 43 A | ||
Encapsulado TO-3PN | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 3 | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Altura 20.1 mm | ||
Longitud 15.8 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 69 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V, -30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Serie QFET | ||
Anchura 5 mm | ||
QFET® N-Channel MOSFET, over 31A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor’s new QFET® Planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using Advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing Planar MOSFET devices.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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