MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FQA44N30, VDSS 300 V, ID 43 A, TO-3PN, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 808-8988
- Referência do fabricante:
- FQA44N30
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 808-8988
- Referência do fabricante:
- FQA44N30
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 43A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 300V | |
| Encapsulado | TO-3PN | |
| Serie | QFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 69mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30, -30V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 20.1mm | |
| Longitud | 15.8mm | |
| Anchura | 5mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 43A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 300V | ||
Encapsulado TO-3PN | ||
Serie QFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 69mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30, -30V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 20.1mm | ||
Longitud 15.8mm | ||
Anchura 5mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
MOSFET de canal N QFET®, más de 31 A, Fairchild Semiconductor
Los nuevos MOSFET planares QFET® de FairField Semiconductor utilizan tecnología avanzada y propietaria para ofrecer el mejor rendimiento de funcionamiento de su clase para una amplia gama de aplicaciones, incluidas fuentes de alimentación, PFC (corrección de factor de potencia), convertidores dc-dc, paneles de display de plasma (PDP), balastos de iluminación y control de movimiento.
Ofrecen una pérdida de estado encendido reducida mediante la reducción de la resistencia de encendido (RDS(on)), y una pérdida de conmutación reducida mediante la reducción de la carga de puerta (Qg) y la capacitancia de salida (Coss). Al utilizar la tecnología de proceso QFET® avanzada, Fairchild puede ofrecer una cifra de mérito (FOM) mejorada con respecto a los dispositivos MOSFET Planar de la competencia.
Transistores MOSFET, ON Semi
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Los transistores MOSFET semi-ON proporcionan una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión y sobretensión reducidos, hasta una capacidad de unión y una carga de recuperación inversa más bajas, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas activos y funcionando durante más tiempo.
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