MOSFET onsemi, N-Canal IRL640A, VDSS 200 V, ID 18 A, TO-220, Mejora de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 145-5670
- Referência do fabricante:
- IRL640A
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
- Código RS:
- 145-5670
- Referência do fabricante:
- IRL640A
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 180mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20, -20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Anchura | 4.7mm | |
| Altura | 16.3mm | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 180mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20, -20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.67mm | ||
Anchura 4.7mm | ||
Altura 16.3mm | ||
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
Transistores MOSFET, ON Semi
><
Los transistores MOSFET semi-ON proporcionan una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión y sobretensión reducidos, hasta una capacidad de unión y una carga de recuperación inversa más bajas, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas activos y funcionando durante más tiempo.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi IRL640A, VDSS 200 V, ID 18 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FDP5N50NZ, VDSS 500 V, ID 4.5 A, TO-220, Mejora de 3 pines, config. Simple
- MOSFET onsemi FDP12N60NZ, VDSS 600 V, ID 12 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
- MOSFET onsemi NTP2955G, VDSS 60 V, ID 12 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 150 V, ID 117 A, TO-220 de 3 pines, 1, config. Simple
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FDP083N15A-F102, VDSS 150 V, ID 117 A, TO-220 de 3 pines, 1, config. Simple
- MOSFET onsemi FQPF33N10L, VDSS 100 V, ID 18 A, TO-220F de 3 pines, , config. Simple
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FDS6692A, VDSS 30 V, ID 9 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 1, config. Simple