MOSFET Toshiba 2SK3878(F), VDSS 900 V, ID 9 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 415-354
- Referência do fabricante:
- 2SK3878(F)
- Fabricante:
- Toshiba
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- Código RS:
- 415-354
- Referência do fabricante:
- 2SK3878(F)
- Fabricante:
- Toshiba
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 9 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 900 V | |
| Serie | 2SK | |
| Tipo de Encapsulado | TO-3PN | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 1,3 Ω | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 150000 mW | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V | |
| Material del transistor | Si | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Ancho | 4.8mm | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 60 nC a 10 V | |
| Altura | 19mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
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|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 9 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 900 V | ||
Serie 2SK | ||
Tipo de Encapsulado TO-3PN | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 1,3 Ω | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 4V | ||
Disipación de Potencia Máxima 150000 mW | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -30 V, +30 V | ||
Material del transistor Si | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Ancho 4.8mm | ||
Longitud 15.9mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 60 nC a 10 V | ||
Altura 19mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
MOSFET de canal N, serie 2SK, Toshiba
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