MOSFET onsemi, N-Canal FCA47N60, VDSS 600 V, ID 47 A, TO-3PN, Mejora de 3 pines, config. Simple

A imagem representada pode não ser a do produto

Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
Opções de embalagem:
Código RS:
865-1237
Referência do fabricante:
FCA47N60
Fabricante:
onsemi
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)

600 V

Corriente continua máxima de drenaje (ld)

47 A

Encapsulado

TO-3PN

Modo de canal

Mejora

Número de pines

3

Configuración de transistor

Simple

Altura

20.1 mm

Longitud

16.2 mm

Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)

70 mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V, -30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150 °C

Disipación de potencia máxima (Pd)

417 W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tipo de montaje

Orificio pasante

Serie

SuperFET

Anchura

5 mm

SuperFET® and SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Fairchild added the SuperFET® II high-voltage power MOSFET family using the Super Junction Technology. It provides best-in-class robust body diode performance in AC-DC Switch Mode Power Supplies (SMPS) applications such as servers, telecom, computing, industrial power supply, UPS/ESS, solar inverter, lighting applications, which require high power density, system efficiency and reliability.

Utilizing an Advanced charge balance technology, designers achieve more efficient, cost-effective and high performance solutions that take up less board space and improve reliability.

MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.