MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FCA47N60, VDSS 600 V, ID 47 A, TO-3PN, Mejora de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 865-1237
- Referência do fabricante:
- FCA47N60
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 865-1237
- Referência do fabricante:
- FCA47N60
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 47A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | SuperFET | |
| Encapsulado | TO-3PN | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 70mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30, -30V | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 16.2mm | |
| Anchura | 5mm | |
| Altura | 20.1mm | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 47A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie SuperFET | ||
Encapsulado TO-3PN | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 70mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30, -30V | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 16.2mm | ||
Anchura 5mm | ||
Altura 20.1mm | ||
MOSFET de canal N SuperFET® y SuperFET® II, Fairchild Semiconductor
Fairchild añadió la familia de MOSFET de potencia de alta tensión SuperFET® II utilizando la tecnología Super Junction. Proporciona el mejor rendimiento de diodo de cuerpo robusto de su clase en aplicaciones de fuentes de alimentación de modo conmutado ac-dc (SMPS), como servidores, telecomunicaciones, informática, fuente de alimentación industrial, SAI/ESS, inversor solar, aplicaciones de iluminación, que requieren alta densidad de potencia, eficiencia del sistema y fiabilidad.
Utilizando una tecnología avanzada de balance de carga, los diseñadores logran soluciones más eficientes, rentables y de alto rendimiento que ocupan menos espacio en la placa y mejoran la fiabilidad.
Transistores MOSFET, ON Semi
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Los transistores MOSFET semi-ON proporcionan una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión y sobretensión reducidos, hasta una capacidad de unión y una carga de recuperación inversa más bajas, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas activos y funcionando durante más tiempo.
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