MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FDS6692A, VDSS 30 V, ID 9 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 166-2832
- Referência do fabricante:
- FDS6692A
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 166-2832
- Referência do fabricante:
- FDS6692A
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.47W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.9 mm | |
| Altura | 1.575mm | |
| Longitud | 4.9mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.47W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.9 mm | ||
Altura 1.575mm | ||
Longitud 4.9mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semi
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