MOSFET de potencia onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal ECH8661-TL-H, VDSS 30 V, ID 7 A, ECH, Mejora de 8 pines, 2, config.
- Código RS:
- 802-0850
- Referência do fabricante:
- ECH8661-TL-H
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Sem stock actualmente
Lamentamos, mas não temos previsão para a reposição deste artigo
- Código RS:
- 802-0850
- Referência do fabricante:
- ECH8661-TL-H
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | ECH | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 39mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11.8nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.3W | |
| Tensión directa Vf | 0.79V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Altura | 0.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado ECH | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 39mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11.8nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.3W | ||
Tensión directa Vf 0.79V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Altura 0.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 2.9mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor
El NTJD1155L es un MOSFET de doble canal. Con los canales P y N en un solo paquete, este MOSFET es brillante para la señal de control baja, tensiones de batería bajas y corrientes de carga altas. El canal N ofrece protección ESD interna y puede ser impulsado por señales lógicas tan bajas como 1,5 V, mientras que el canal P está diseñado para ser utilizado en aplicaciones de conmutación de carga. El canal P también diseñado con la tecnología de trinchera ON semi.
Transistores MOSFET, ON Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET de potencia onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 7 A, ECH, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi ECH8310-TL-H, VDSS 30 V, ID 9 A, Mejora, ECH de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 9 A, Mejora, ECH de 8 pines
- MOSFET de potencia onsemi, Tipo N, Tipo P-Canal SI4532DY, VDSS 30 V, ID 3.9 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config.
- MOSFET de potencia onsemi, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 3.9 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia onsemi, Tipo P-Canal NTHD4102PT1G, VDSS 20 V, ID 4.1 A, ChipFET, Mejora de 8 pines, 2, config.
- MOSFET de potencia onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal NTJD1155LT1G, VDSS 8 V, ID 1.3 A, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config.
- MOSFET de potencia onsemi, Tipo P-Canal, VDSS 20 V, ID 4.1 A, ChipFET, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado