MOSFET de potencia onsemi, Tipo N, Tipo P-Canal SI4532DY, VDSS 30 V, ID 3.9 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config.
- Código RS:
- 772-8938
- Referência do fabricante:
- SI4532DY
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
6,58 €
Adicione 170 unidades para obter entrega gratuita
Em stock
- Mais 2470 unidade(s) para enviar a partir do dia 23 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,658 € | 6,58 € |
| 100 - 240 | 0,496 € | 4,96 € |
| 250 - 490 | 0,49 € | 4,90 € |
| 500 - 990 | 0,419 € | 4,19 € |
| 1000 + | 0,342 € | 3,42 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 772-8938
- Referência do fabricante:
- SI4532DY
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 190mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Anchura | 4 mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 190mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Anchura 4 mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Los transistores de efecto de campo para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de densidad muy alta se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Links relacionados
- MOSFET de potencia onsemi, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 3.9 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 8.6 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 6.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 4.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 6.4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 6 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo P-Canal, VDSS 60 V, ID 2.3 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 7 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
