MOSFET de potencia onsemi, Tipo P-Canal, VDSS 20 V, ID 4.1 A, ChipFET, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 163-1110
- Referência do fabricante:
- NTHD4102PT1G
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
1 185,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 30 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,395 € | 1 185,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 163-1110
- Referência do fabricante:
- NTHD4102PT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | ChipFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 170mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.1W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Tensión directa Vf | -0.8V | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.1mm | |
| Longitud | 3.1mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado ChipFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 170mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.1W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Tensión directa Vf -0.8V | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.1mm | ||
Longitud 3.1mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
MOSFET de canal P doble, ON Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET de potencia onsemi, Tipo P-Canal NTHD4102PT1G, VDSS 20 V, ID 4.1 A, ChipFET, Mejora de 8 pines, 2, config.
- MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 20 V, ID 3.8 A, ChipFET, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal SI5935CDC-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 3.8 A, ChipFET, Mejora de 8 pines, 2, config.
- MOSFET de potencia onsemi, Tipo P-Canal, VDSS 20 V, ID 2.6 A, MicroFET Delgado, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 4.1 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia onsemi, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 3.9 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 7 A, ECH, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 20 V, ID 6.7 A, Mejora, ChipFET de 8 pines