MOSFET onsemi NTJD1155LT1G, VDSS 8 V, ID 1,3 A, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Interruptor de carga N+P

Código RS:: 780-0605
Referência do fabricante:: NTJD1155LT1G
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi NTJD1155LT1G, VDSS 8 V, ID 1,3 A, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Interruptor de carga N+P

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Código RS:: 780-0605
Referência do fabricante:: NTJD1155LT1G
Fabricante:: onsemi

NTJD1155L Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	1,3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	8 V
Tipo de Encapsulado	SOT-363
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	320 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1V
Disipación de Potencia Máxima	400 mW
Configuración de transistor	Interruptor de carga N+P
Tensión Máxima Puerta-Fuente	+8 V
Número de Elementos por Chip	2
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	1.35mm
Material del transistor	Si
Longitud	2.2mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1mm

MOSFET onsemi NTJD1155LT1G, VDSS 8 V, ID 1,3 A, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Interruptor de carga N+P

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MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor

Características y ventajas:

Aplicaciones: