Referência do fabricante

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIS468DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 30 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

Código RS:: 787-9383
Referência do fabricante:: SIS468DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIS468DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 30 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:: 787-9383
Referência do fabricante:: SIS468DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

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Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	30A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	80V
	Encapsulado	PowerPAK 1212
	Serie	ThunderFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	32mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	0.78V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	18.1nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	52W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	1.12mm
	Anchura	3.4 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	3.4mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 30A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V
	Encapsulado PowerPAK 1212
	Serie ThunderFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 32mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 0.78V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18.1nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 52W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 1.12mm
	Anchura 3.4 mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 3.4mm
	Estándar de automoción No

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIS468DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 30 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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MOSFET de canal N, tensión media/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

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