MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS30LDN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 55.5 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- Código RS:
- 188-5051
- Referência do fabricante:
- SISS30LDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 188-5051
- Referência do fabricante:
- SISS30LDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 55.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | SiSS30LDN | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 12mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 32.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 57W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Altura | 0.78mm | |
| Anchura | 3.3 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 55.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie SiSS30LDN | ||
Encapsulado PowerPAK 1212 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 12mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 32.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 57W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.3mm | ||
Altura 0.78mm | ||
Anchura 3.3 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET N-Canal 80 V (D-S).
MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV
Muy bajo RDS x Qg figura de mérito (FOM)
Sintonizado para el RDS más bajo x QOSS FOM
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