MOSFET onsemi FDG6332C, VDSS 20 V, ID 600 mA, 700 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

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Código RS:
761-9847
Referência do fabricante:
FDG6332C
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de Canal

N, P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

600 mA, 700 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 V

Tipo de Encapsulado

SOT-363

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

442 MΩ, 700 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.3V

Disipación de Potencia Máxima

300 mW

Configuración de transistor

Aislado

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-12 V, +12 V

Ancho

1.25mm

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,1 nC a 4,5 V, 1,4 nC a 4,5 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Número de Elementos por Chip

2

Longitud

2mm

Altura

1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

MOSFET de canal N doble para aplicaciones de automoción, Fairchild Semiconductor


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Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
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