Referência do fabricante

MOSFET onsemi, Tipo N, Tipo N, Tipo P, Tipo P-Canal FDG6332C, VDSS 20 V, ID 700 mA, US, Mejora de 6 pines, 2, config.

Código RS:: 761-9847
Referência do fabricante:: FDG6332C
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi, Tipo N, Tipo N, Tipo P, Tipo P-Canal FDG6332C, VDSS 20 V, ID 700 mA, US, Mejora de 6 pines, 2, config.

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Código RS:: 761-9847
Referência do fabricante:: FDG6332C
Fabricante:: onsemi

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	Tipo N, Tipo N, Tipo P, Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	700mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Encapsulado	US
	Tipo de montaje	Superficie, Montaje superficial
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	700mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±12 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	1.4nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	0.3W
	Tensión directa Vf	-0.77V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Configuración de transistor	Aislado
	Altura	1mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	2mm
	Anchura	1.25 mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca onsemi
	Tipo de canal Tipo N, Tipo N, Tipo P, Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 700mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Encapsulado US
	Tipo de montaje Superficie, Montaje superficial
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 700mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±12 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.4nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 0.3W
	Tensión directa Vf -0.77V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Configuración de transistor Aislado
	Altura 1mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 2mm
	Anchura 1.25 mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

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