MOSFET DiodesZetex, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 800 mA, US, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 embalagem de 50 unidades)*

7,95 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 2800 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
50 +0,159 €7,95 €

*preço indicativo

Código RS:
206-0063
Referência do fabricante:
DMC3401LDW-7
Fabricante:
DiodesZetex
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

DiodesZetex

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N, Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

800mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

DMC3401

Encapsulado

US

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

700mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

0.4W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.5nC

Tensión directa Vf

0.7V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Certificaciones y estándares

No

Longitud

2.15mm

Anchura

1.3 mm

Altura

0.95mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q200, AEC-Q104, AEC-Q100, AEC-Q101

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET DiodesZetex 30V de modo de mejora de par complementario está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Su tensión de fuente de puerta es de 20 V con disipación de potencia térmica de 0,29 W.

Baja capacitancia de entrada

Velocidad de conmutación rápida

Links relacionados