Referência do fabricante

MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FDG6303N, VDSS 25 V, ID 500 mA, US, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

Código RS:: 739-0189
Referência do fabricante:: FDG6303N
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FDG6303N, VDSS 25 V, ID 500 mA, US, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:: 739-0189
Referência do fabricante:: FDG6303N
Fabricante:: onsemi

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Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	500mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	25V
	Encapsulado	US
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	770mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	300mW
	Tensión directa Vf	0.8V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	1.64nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	8 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Configuración de transistor	Aislado
	Anchura	1.25 mm
	Longitud	2mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	1mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca onsemi
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 500mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V
	Encapsulado US
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 770mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 300mW
	Tensión directa Vf 0.8V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.64nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Configuración de transistor Aislado
	Anchura 1.25 mm
	Longitud 2mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 1mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

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MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FDG6303N, VDSS 25 V, ID 500 mA, US, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semi

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