MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 25 V, ID 500 mA, US, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 178-7601
- Referência do fabricante:
- FDG6303N
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 178-7601
- Referência do fabricante:
- FDG6303N
- Fabricante:
- onsemi
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 500mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Encapsulado | US | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 770mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300mW | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.64nC | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 2mm | |
| Altura | 1mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 500mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Encapsulado US | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 770mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300mW | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.64nC | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 2mm | ||
Altura 1mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semi
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