MOSFET onsemi, Tipo P-Canal NTJD4152PT1G, VDSS 20 V, ID 880 mA, US, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 780-0611
- Referência do fabricante:
- NTJD4152PT1G
- Fabricante:
- onsemi
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Especificações
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Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 880mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | US | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | -0.8V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±12 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.2nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 350mW | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.35 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 2.2mm | |
| Altura | 1mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 880mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado US | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf -0.8V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±12 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.2nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 350mW | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.35 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 2.2mm | ||
Altura 1mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
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