Referência do fabricante

MOSFET onsemi, Tipo N, Tipo N-Canal FDG1024NZ, VDSS 20 V, ID 1.2 A, US, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

Código RS:: 145-5680
Referência do fabricante:: FDG1024NZ
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi, Tipo N, Tipo N-Canal FDG1024NZ, VDSS 20 V, ID 1.2 A, US, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:: 145-5680
Referência do fabricante:: FDG1024NZ
Fabricante:: onsemi

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Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N, Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	1.2A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Serie	PowerTrench
	Encapsulado	US
	Tipo de montaje	Superficie, Montaje superficial
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	259mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	1.8nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	360mW
	Tensión directa Vf	0.7V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	8V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Configuración de transistor	Aislado
	Longitud	2mm
	Altura	1mm
	Anchura	1.25mm
	Certificaciones y estándares	No
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca onsemi
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N, Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 1.2A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Serie PowerTrench
	Encapsulado US
	Tipo de montaje Superficie, Montaje superficial
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 259mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.8nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 360mW
	Tensión directa Vf 0.7V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 8V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Configuración de transistor Aislado
	Longitud 2mm
	Altura 1mm
	Anchura 1.25mm
	Certificaciones y estándares No
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

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