MOSFET onsemi FQU11P06TU, VDSS 60 V, ID 9.4 A, IPAK (TO-251), Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 671-5335
- Referência do fabricante:
- FQU11P06TU
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 671-5335
- Referência do fabricante:
- FQU11P06TU
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | IPAK (TO-251) | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 185mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -30V, +30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado IPAK (TO-251) | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 185mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -30V, +30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Modo de mejora MOSFET de canal P, ON Semiconductor
La gama de MOSFET de canal P de ON Semiconductors se produce utilizando la tecnología DMOS patentada de alta densidad de celdas de ON Semi. Este proceso de densidad muy alta se ha diseñado para minimizar la resistencia en estado activo para proporcionar un rendimiento robusto y fiable para una conmutación rápida.
Características y ventajas:
• Interruptor de señal pequeña de canal P controlado por tensión
• Diseño de celda de alta densidad
• Corriente de saturación elevada
• Conmutación superior
• Gran rendimiento robusto y fiable
• Tecnología DMOS
Aplicaciones:
• Conmutación de carga
• Convertidor dc/dc
• Protección de la batería
• Control de gestión de potencia
• Control de motor dc
Transistores MOSFET, ON Semi
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Los transistores MOSFET semi-ON proporcionan una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión y sobretensión reducidos, hasta una capacidad de unión y una carga de recuperación inversa más bajas, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas activos y funcionando durante más tiempo.
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