MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 9.4 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- Código RS:
- 541-1613
- Número do artigo Distrelec:
- 303-41-373
- Referência do fabricante:
- IRFU120NPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 541-1613
- Número do artigo Distrelec:
- 303-41-373
- Referência do fabricante:
- IRFU120NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | IPAK | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 210mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 48W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 2.3mm | |
| Altura | 6.1mm | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado IPAK | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 210mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 48W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 2.3mm | ||
Altura 6.1mm | ||
Longitud 6.6mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 9,4 A, tensión de fuente de drenaje máxima de 100 V - IRFU120NPBF
Este MOSFET de canal N está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento en los sectores electrónico y eléctrico. Con una corriente de drenaje continua máxima de 9,4 A y una tensión de drenaje-fuente de 100 V, este dispositivo ofrece una funcionalidad fiable en diversos sistemas. Empaquetado en una carcasa IPAK TO-251, el MOSFET ofrece una solución compacta para un manejo eficiente de la potencia.
Características y ventajas
• Diseñado para funcionar en modo de mejora, ofrece una conmutación fiable
• La alta capacidad de disipación de potencia de 48 W mejora el rendimiento
• Ideal para aplicaciones de alta corriente en diseños electrónicos robustos
• La configuración de un solo MOSFET de Si garantiza una integración simplificada
Aplicaciones
• Se utiliza en soluciones de gestión de energía para sistemas de automatización
• Se utiliza en circuitos de control de motores para maquinaria industrial
• Utilizados en convertidores de potencia para sistemas de energías renovables
• Adecuado para electrónica de consumo que requiere un suministro fiable de energía
• Integrado en accionamientos de motores eléctricos y mecánicos
¿Qué significa el bajo valor de Rds(on)?
El bajo valor de Rds(on) de 210mΩ garantiza una resistencia mínima en estado encendido, lo que se traduce en una mayor eficiencia y una menor generación de calor durante el funcionamiento. Esta característica es especialmente importante en aplicaciones de alta frecuencia, donde las pérdidas de potencia pueden ser considerables.
¿Cómo se comporta el MOSFET a temperaturas extremas?
Con una temperatura máxima de funcionamiento de +175 °C y una mínima de -55 °C, este dispositivo está diseñado para mantener un rendimiento constante en entornos exigentes. Esta resistencia lo hace adecuado para una amplia variedad de aplicaciones en las que las fluctuaciones de temperatura son habituales.
¿Qué ventajas aporta el modo de mejora a los diseñadores de circuitos?
El modo de mejora permite que el transistor esté normalmente apagado, lo que mejora la estabilidad del circuito y evita el flujo de corriente no deseado durante los periodos no activos. Esta función ofrece a los diseñadores un mayor control sobre la gestión de la energía del sistema.
¿Puede utilizarse este MOSFET en aplicaciones de alta potencia?
Sí, con una capacidad de disipación de potencia de 48 W y una corriente de drenaje continua máxima de 9,4 A, este MOSFET es muy adecuado para aplicaciones de alta potencia. Su robustez garantiza la fiabilidad en entornos eléctricos exigentes.
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