MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 9.4 A, Mejora, IPAK de 3 pines

Código RS:: 541-1613
Número do artigo Distrelec:: 303-41-373
Referência do fabricante:: IRFU120NPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 9.4 A, Mejora, IPAK de 3 pines

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Código RS:: 541-1613
Número do artigo Distrelec:: 303-41-373
Referência do fabricante:: IRFU120NPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	9.4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	IPAK
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	210mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	25nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Tensión directa Vf	1.3V
	Disipación de potencia máxima Pd	48W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	2.3 mm
	Altura	6.1mm
	Longitud	6.6mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 9.4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Serie HEXFET
	Encapsulado IPAK
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 210mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Tensión directa Vf 1.3V
	Disipación de potencia máxima Pd 48W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 2.3 mm
	Altura 6.1mm
	Longitud 6.6mm
	Estándar de automoción No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 9,4 A, tensión de fuente de drenaje máxima de 100 V - IRFU120NPBF

Este MOSFET de canal N está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento en los sectores electrónico y eléctrico. Con una corriente de drenaje continua máxima de 9,4 A y una tensión de drenaje-fuente de 100 V, este dispositivo ofrece una funcionalidad fiable en diversos sistemas. Empaquetado en una carcasa IPAK TO-251, el MOSFET ofrece una solución compacta para un manejo eficiente de la potencia.

Características y ventajas

• Diseñado para funcionar en modo de mejora, ofrece una conmutación fiable

• La alta capacidad de disipación de potencia de 48 W mejora el rendimiento

• Ideal para aplicaciones de alta corriente en diseños electrónicos robustos

• La configuración de un solo MOSFET de Si garantiza una integración simplificada

Aplicaciones

• Se utiliza en soluciones de gestión de energía para sistemas de automatización

• Se utiliza en circuitos de control de motores para maquinaria industrial

• Utilizados en convertidores de potencia para sistemas de energías renovables

• Adecuado para electrónica de consumo que requiere un suministro fiable de energía

• Integrado en accionamientos de motores eléctricos y mecánicos

¿Qué significa el bajo valor de Rds(on)?

El bajo valor de Rds(on) de 210mΩ garantiza una resistencia mínima en estado encendido, lo que se traduce en una mayor eficiencia y una menor generación de calor durante el funcionamiento. Esta característica es especialmente importante en aplicaciones de alta frecuencia, donde las pérdidas de potencia pueden ser considerables.

¿Cómo se comporta el MOSFET a temperaturas extremas?

Con una temperatura máxima de funcionamiento de +175 °C y una mínima de -55 °C, este dispositivo está diseñado para mantener un rendimiento constante en entornos exigentes. Esta resistencia lo hace adecuado para una amplia variedad de aplicaciones en las que las fluctuaciones de temperatura son habituales.

¿Qué ventajas aporta el modo de mejora a los diseñadores de circuitos?

El modo de mejora permite que el transistor esté normalmente apagado, lo que mejora la estabilidad del circuito y evita el flujo de corriente no deseado durante los periodos no activos. Esta función ofrece a los diseñadores un mayor control sobre la gestión de la energía del sistema.

¿Puede utilizarse este MOSFET en aplicaciones de alta potencia?

Sí, con una capacidad de disipación de potencia de 48 W y una corriente de drenaje continua máxima de 9,4 A, este MOSFET es muy adecuado para aplicaciones de alta potencia. Su robustez garantiza la fiabilidad en entornos eléctricos exigentes.