MOSFET, Tipo N-Canal onsemi RFD14N05L, VDSS 50 V, ID 14 A, Mejora, IPAK (TO-251) de 3 pines
- Código RS:
- 325-7580
- Referência do fabricante:
- RFD14N05L
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
0,88 €
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 0,88 € |
| 10 - 99 | 0,76 € |
| 100 - 499 | 0,66 € |
| 500 - 999 | 0,58 € |
| 1000 + | 0,53 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 325-7580
- Referência do fabricante:
- RFD14N05L
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 14A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 50V | |
| Encapsulado | IPAK (TO-251) | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 100mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 48W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10V | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 40nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.8mm | |
| Altura | 6.3mm | |
| Anchura | 2.5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 14A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 50V | ||
Encapsulado IPAK (TO-251) | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 100mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 48W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10V | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 40nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.8mm | ||
Altura 6.3mm | ||
Anchura 2.5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
Transistores MOSFET, ON Semi
><
Los transistores MOSFET semi-ON proporcionan una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión y sobretensión reducidos, hasta una capacidad de unión y una carga de recuperación inversa más bajas, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas activos y funcionando durante más tiempo.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 200 V, ID 3.7 A, Mejora, IPAK (TO-251) de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi FQU5P20TU, VDSS 200 V, ID 3.7 A, Mejora, IPAK (TO-251) de 3 pines
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FCU900N60Z, VDSS 600 V, ID 4.5 A, IPAK (TO-251), Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 4.3 A, Mejora, IPAK (TO-251) de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay IRLU110PBF, VDSS 100 V, ID 4.3 A, Mejora, IPAK (TO-251) de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay IRFU9110PBF, VDSS 100 V, ID 3.1 A, Mejora, IPAK (TO-251) de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay IRFU110PBF, VDSS 100 V, ID 4.3 A, Mejora, IPAK (TO-251) de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 5 A, Mejora, IPAK (TO-251) de 3 pines