MOSFET, Tipo N-Canal Vishay IRLU110PBF, VDSS 100 V, ID 4.3 A, Mejora, IPAK (TO-251) de 3 pines
- Código RS:
- 708-4884
- Referência do fabricante:
- IRLU110PBF
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
7,79 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
- Envio a partir do dia 08 de abril de 2026
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,558 € | 7,79 € |
| 50 - 120 | 1,246 € | 6,23 € |
| 125 - 245 | 1,168 € | 5,84 € |
| 250 - 495 | 1,012 € | 5,06 € |
| 500 + | 0,938 € | 4,69 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 708-4884
- Referência do fabricante:
- IRLU110PBF
- Fabricante:
- Vishay
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | IPAK (TO-251) | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante, Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.76Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 2.5V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 25W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.1nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±10 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Certificaciones y estándares | Halogen Free According to IEC 61249-2-21, JEDEC JS709A, RoHS Directive 2002/95/EC | |
| Anchura | 2.38 mm | |
| Altura | 6.22mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado IPAK (TO-251) | ||
Tipo de montaje Orificio pasante, Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.76Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 2.5V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 25W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.1nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±10 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.73mm | ||
Certificaciones y estándares Halogen Free According to IEC 61249-2-21, JEDEC JS709A, RoHS Directive 2002/95/EC | ||
Anchura 2.38 mm | ||
Altura 6.22mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 4.3 A, Mejora, IPAK (TO-251) de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay IRFU110PBF, VDSS 100 V, ID 4.3 A, Mejora, IPAK (TO-251) de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 200 V, ID 3.7 A, Mejora, IPAK (TO-251) de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay IRFU9110PBF, VDSS 100 V, ID 3.1 A, Mejora, IPAK (TO-251) de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi RFD14N05L, VDSS 50 V, ID 14 A, Mejora, IPAK (TO-251) de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi FQU5P20TU, VDSS 200 V, ID 3.7 A, Mejora, IPAK (TO-251) de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 5 A, Mejora, IPAK (TO-251) de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics STU7NM60N, VDSS 600 V, ID 5 A, Mejora, IPAK (TO-251) de 3 pines
