MOSFET Vishay IRFUC20PBF, VDSS 600 V, ID 2 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, config. Simple

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Opções de embalagem:
Código RS:
708-4850
Referência do fabricante:
IRFUC20PBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

IPAK (TO-251)

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4,4 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

2,5 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Ancho

2.38mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Carga Típica de Puerta @ Vgs

18 nC a 10 V

Longitud

6.73mm

Altura

6.22mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor



Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

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