MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 110 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 229-1728
- Referência do fabricante:
- AUIRF3205ZSTRL
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 bobina de 800 unidades)*
872,00 €
Adicione 800 unidades para obter entrega gratuita
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 15 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 1,09 € | 872,00 € |
| 1600 + | 1,035 € | 828,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 229-1728
- Referência do fabricante:
- AUIRF3205ZSTRL
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 110A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | AUIRF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 170W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 76nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 9.65 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Altura | 4.83mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 110A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie AUIRF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 170W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 76nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 9.65 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.67mm | ||
Altura 4.83mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia Infineon utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado . Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en aplicaciones de automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.
Cumple con RoHS y tiene certificación AEC Q101
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AUIRF3205ZSTRL, VDSS 55 V, ID 110 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 110 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF3205STRLPBF, VDSS 55 V, ID 110 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF3205ZSTRLPBF, VDSS 55 V, ID 110 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 29 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 210 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 85 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
