MOSFET Vishay, N-Canal SQRS140ELP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 504 A, SO-8SW, Mejora de 8 pines, 2
- Código RS:
- 280-0025
- Referência do fabricante:
- SQRS140ELP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Obtenha um desconto por quantidade
Adicione mais 50 para poupar 8%
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
7,02 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 3000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* | Poupança |
|---|---|---|---|
| 2 - 48 | 3,51 € | 7,02 € | - |
| 50 - 98 | 3,20 € | 6,40 € | 8% |
| 100 - 248 | 2,84 € | 5,68 € | 19% |
| 250 - 998 | 2,79 € | 5,58 € | 20% |
| 1000 + | 2,735 € | 5,47 € | 22% |
*preço indicativo
- Código RS:
- 280-0025
- Referência do fabricante:
- SQRS140ELP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 504A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | SQRS140ELP | |
| Encapsulado | SO-8SW | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 40V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested, RoHS | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 504A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie SQRS140ELP | ||
Encapsulado SO-8SW | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 40V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested, RoHS | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de automoción Vishay es de canal N, y el transistor que lleva está fabricado de un material conocido como silicio.
MOSFET de potencia TrenchFET
Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS
Calificación AEC-Q101
Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)
Links relacionados
- MOSFET Vishay, N-Canal SQRS140ELP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 504 A, SO-8SW, Mejora de 8 pines, 2
- MOSFET, N-Canal Vishay SQRS140EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 467 A, Mejora, SO-8SW de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SQRS160EP-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 373 A, Mejora, SO-8SW de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SIRS4600EPW-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 373 A, Mejora, SO-8SW de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SQJA76EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 75 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SQJ412EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 32 A, Mejora, SO-8 de 5 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SQJ872EP-T1_GE3, VDSS 150 V, ID 24.5 A, Mejora, SO-8L de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SQJ152EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 114 A, Mejora, SO-8 de 4 pines