MOSFET, Canal N-Canal Vishay SQRS160EP-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 373 A, Mejora, SO-8SW de 8 pines

Subtotal (1 unidade)*

3,11 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 31 de março de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
1 +3,11 €

*preço indicativo

Código RS:
735-238
Referência do fabricante:
SQRS160EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

373A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SO-8SW

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.002Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

270W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

130nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Anchura

5mm

Longitud

6mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origem):
DE

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.