MOSFET, N-Canal Vishay SQJ152EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 114 A, Mejora, SO-8 de 4 pines

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Código RS:
228-2956
Referência do fabricante:
SQJ152EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

114A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Disipación de potencia máxima Pd

136W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

El canal N de automoción Vishay TrenchFET es un MOSFET de alimentación de 40 V.

100 % Rg y UIS probados

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