MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIRS4600EPW-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 373 A, Mejora, SO-8SW de 8 pines
- Código RS:
- 735-219
- Referência do fabricante:
- SIRS4600EPW-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
4,82 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 07 de julho de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,82 € |
| 10 - 49 | 3,00 € |
| 50 - 99 | 2,32 € |
| 100 + | 1,70 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 735-219
- Referência do fabricante:
- SIRS4600EPW-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 373A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | SO-8SW | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0013Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 108nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 333W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Anchura | 5.1mm | |
| Altura | 0.95mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 373A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado SO-8SW | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0013Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 108nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 333W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Longitud 6.1mm | ||
Anchura 5.1mm | ||
Altura 0.95mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Links relacionados
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SQRS160EP-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 373 A, Mejora, SO-8SW de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiR876BDP-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 51.4 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SiR681DP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 71.9 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiR880BDP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 70.6 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiR570DP-T1-RE3, VDSS 150 V, ID 77.4 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiR580DP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 146 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIR178DP-T1-RE3, VDSS 20 V, ID 430 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiDR626LDP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 204 A, Mejora, SO-8 de 8 pines