MOSFET, Tipo N-Canal Vishay Siliconix SQJ872EP-T1_GE3, VDSS 150 V, ID 24.5 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET

Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*

9,25 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Disponibilidade limitada
  • 2920 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
O nosso stock atual é limitado e os fornecedores antecipam dificuldades no abasteccimiento.
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
10 +0,925 €9,25 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
178-3903
Referência do fabricante:
SQJ872EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay Siliconix

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

24.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

80mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14nC

Disipación de potencia máxima Pd

55W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5 mm

Longitud

5.99mm

Altura

1.07mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: Não aplicável

COO (País de Origem):
CN
TrenchFET® power MOSFET

Links relacionados