MOSFET, N-Canal Vishay Siliconix SQJ872EP-T1_GE3, VDSS 150 V, ID 24.5 A, Mejora, SO-8L de 8 pines
- Código RS:
- 178-3903
- Referência do fabricante:
- SQJ872EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
11,52 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Disponibilidade limitada
- Mais 2920 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de setembro de 2026
O nosso stock atual é limitado e os fornecedores antecipam dificuldades no abasteccimiento.
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,152 € | 11,52 € |
| 100 - 490 | 0,978 € | 9,78 € |
| 500 - 990 | 0,864 € | 8,64 € |
| 1000 + | 0,749 € | 7,49 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 178-3903
- Referência do fabricante:
- SQJ872EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay Siliconix | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 24.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | SO-8L | |
| Serie | SQJ872EP | |
| Tipo de montaje | Montaje en PCB | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0395Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 14nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 55W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 5.99mm | |
| Altura | 1.07mm | |
| Anchura | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay Siliconix | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 24.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado SO-8L | ||
Serie SQJ872EP | ||
Tipo de montaje Montaje en PCB | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0395Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 55W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 5.99mm | ||
Altura 1.07mm | ||
Anchura 5mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Estado RoHS: Não aplicável
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET serie SQJ872EP de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 150 V, corriente de drenaje continua de 24,5 A - SQJ872EP-T1_GE3
Este MOSFET es un dispositivo de conmutación de potencia diseñado para aplicaciones de alta tensión y alta corriente en entornos exigentes. Funciona como transistor de mejora de canal N para funciones de conmutación y conversión de potencia. El dispositivo es adecuado para montaje en PCB en un encapsulado de perfil pequeño y está fabricado para cumplir con los estándares ambientales del sector.
Características y ventajas:
• Baja resistencia de conexión de 0,0395 Ω que proporciona pérdidas de conducción reducidas
• Capacidad de alta tensión de 150 V que permite un rango de potencia de conmutación robusto
• Corriente nominal continua de 24,5 A que admite corrientes de carga sustanciales
• Carga de puerta de 14 nC que permite un control de conmutación eficiente
• Disipación de potencia de 55 W que permite un manejo sostenido de la carga térmica
• Amplia tolerancia de puerta de ±20 V, lo que hace que el diseño de accionamiento de puerta sea flexible
• Capacidad de alta tensión de 150 V que permite un rango de potencia de conmutación robusto
• Corriente nominal continua de 24,5 A que admite corrientes de carga sustanciales
• Carga de puerta de 14 nC que permite un control de conmutación eficiente
• Disipación de potencia de 55 W que permite un manejo sostenido de la carga térmica
• Amplia tolerancia de puerta de ±20 V, lo que hace que el diseño de accionamiento de puerta sea flexible
Aplicaciones
• Apto para etapas de potencia de automoción que requieren conformidad con AEC‐Q101
• Ideal para matrices de interruptores de accionamiento de motores industriales
• Se utiliza con convertidores dc-dc en sistemas de alta tensión
• Se puede utilizar para rectificación síncrona en fuentes de alimentación
• Útil en etapas de conmutación de inversor y SAI frontal
• Ideal para matrices de interruptores de accionamiento de motores industriales
• Se utiliza con convertidores dc-dc en sistemas de alta tensión
• Se puede utilizar para rectificación síncrona en fuentes de alimentación
• Útil en etapas de conmutación de inversor y SAI frontal
¿Qué rango de temperatura puede tolerar en instalaciones hostiles?
Funciona en un amplio rango de temperaturas de –55 a 175 °C, soportando condiciones térmicas industriales y de automoción extremas.
¿Qué encapsulado y método de montaje utiliza para el montaje de placas?
El dispositivo se suministra en un encapsulado SO‐8L diseñado para montaje en PCB para simplificar la integración en conjuntos compactos.
¿Cómo influye la tensión directa en el diseño del sistema?
La caída de conducción directa es de 1,2 V en condiciones especificadas, lo que debe incluirse en los cálculos de pérdida de potencia y las evaluaciones de gestión térmica.
¿Es adecuado el dispositivo para requisitos de fabricación regulados y ambientales?
Cumple las directivas RoHS, lo que indica la restricción de sustancias peligrosas especificadas en los materiales de los componentes.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay Siliconix SQJ872EP-T1_GE3, VDSS 150 V, ID 24.5 A, Mejora, SO-8L de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay Siliconix SQJ431AEP-T1_GE3, VDSS 200 V, ID 9.4 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay Siliconix SQJ481EP-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 16 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay Siliconix SQJA76EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 75 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay Siliconix SQJ415EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 30 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJ162EP-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 166 A, Mejora, SO-8L de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJ136ELP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 350 A, Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SQJ742EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 99 A, Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines