MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIJH5700E-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 174 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- Código RS:
- 268-8324
- Referência do fabricante:
- SIJH5700E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 2000 unidades)*
7 050,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 22 de março de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 3,525 € | 7 050,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 268-8324
- Referência do fabricante:
- SIJH5700E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 174A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | PowerPAK (8x8L) | |
| Serie | SIJH | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0041Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 14nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 333W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 7.9mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 174A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado PowerPAK (8x8L) | ||
Serie SIJH | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0041Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 333W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 7.9mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de generación 5 de canal N TrenchFET de Vishay es un dispositivo completamente sin plomo. Se utiliza en aplicaciones como rectificación síncrona, control de accionamiento de motor y gestión de baterías.
Cifra de mérito muy baja
Conforme con ROHS
Probado por UIS al 100 por ciento
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIJH5700E-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 174 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIJH602E-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 437 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIJH800E-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 299 A, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIJH600E-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 37 A, Reducción, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIJH5100E-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 277 A, Mejora, 8x8L de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 80 V, ID 299 A, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 37 A, Reducción, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHH080N60E-T1-GE3, VDSS 650 V, ID 32 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines