MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIA4620DJ-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 9 A, Mejora, PowerPAK de 6 pines
- Código RS:
- 904-973
- Referência do fabricante:
- SIA4620DJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 fita de 1 unidade)*
0,37 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 01 de fevereiro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Fita(s) | Por Fita |
|---|---|
| 1 - 24 | 0,37 € |
| 25 - 99 | 0,24 € |
| 100 + | 0,14 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 904-973
- Referência do fabricante:
- SIA4620DJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.023Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.4nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 17.9W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 2.05mm | |
| Longitud | 2.05mm | |
| Certificaciones y estándares | ROHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.023Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.4nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 17.9W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 2.05mm | ||
Longitud 2.05mm | ||
Certificaciones y estándares ROHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- IL
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para una gestión eficiente de la potencia. Destaca en diversas aplicaciones gracias a sus métricas de alto rendimiento y a su embalaje compacto, lo que lo convierte en ideal para los diseños electrónicos modernos.
Funciona a una tensión máxima de drenaje-fuente de 60 V
Dispone de baja resistencia en estado activo para mejorar la eficiencia
Ofrece una corriente de drenaje continua de hasta 8,6 A a 25 °C
Incluye pruebas exhaustivas de fiabilidad y rendimiento
Links relacionados
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SI7120BDN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 14 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SISF12EDN-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 85 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIJH602E-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 437 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHH26N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 25 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET, Canal P-Canal Vishay SISH521EDN-T1-GE3, VDSS -20 V, ID -104 A, Mejora, PowerPAK 1212-8SH de 8 pines
- MOSFET, Canal P-Canal Vishay SIA5213DJ-T1-GE3, VDSS -20 V, ID -36 A, Mejora, PowerPAK SC-70 de 6 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS42LDN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 11.3 A, PowerPAK
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS60DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 181.8 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines