MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIJH602E-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 437 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 unidade)*

5,11 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde

Unidad(es)
Por unidade
1 - 95,11 €
10 - 493,17 €
50 - 992,45 €
100 +1,88 €

*preço indicativo

Código RS:
735-199
Referência do fabricante:
SIJH602E-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

437A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAK (8x8L)

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00115Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

130nC

Disipación de potencia máxima Pd

333W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Longitud

8mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

Links relacionados