MOSFET Vishay, N-Canal SIJH112E-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 225 A, PowerPAK (8x8L), Mejora de 4 pines
- Código RS:
- 228-2893
- Referência do fabricante:
- SIJH112E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 228-2893
- Referência do fabricante:
- SIJH112E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 100 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 225 A | |
| Encapsulado | PowerPAK (8x8L) | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 0.0028 Ω | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Serie | TrenchFET | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 100 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 225 A | ||
Encapsulado PowerPAK (8x8L) | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 0.0028 Ω | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Serie TrenchFET | ||
The Vishay TrenchFET N-channel is 100 V MOSFET.
100 % Rg and UIS tested
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