MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SIJH112E-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 225 A, PowerPAK (8x8L), Mejora de 4 pines
- Código RS:
- 228-2893
- Referência do fabricante:
- SIJH112E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 228-2893
- Referência do fabricante:
- SIJH112E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 225A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | PowerPAK (8x8L) | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0028Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 225A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado PowerPAK (8x8L) | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0028Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
El canal N TrenchFET de Vishay es un MOSFET de 100 V.
Probado al 100 % Rg y UIS
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