MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIJH800E-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 299 A, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- Código RS:
- 225-9921
- Referência do fabricante:
- SIJH800E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 225-9921
- Referência do fabricante:
- SIJH800E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 299A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | N-Channel 80 V | |
| Encapsulado | PowerPAK (8x8L) | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.8mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 210nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.3W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.9 mm | |
| Altura | 8mm | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 299A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie N-Channel 80 V | ||
Encapsulado PowerPAK (8x8L) | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.8mΩ | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 210nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.3W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.9 mm | ||
Altura 8mm | ||
Longitud 8.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Vishay Siliconix mantiene los datos de fiabilidad para la tecnología de semiconductores y la fiabilidad del encapsulado representa un compuesto de todas las ubicaciones cualificadas.
MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV
Dispositivo sin plomo (Pb)
Optimizado para relación Qg, Qgd y Qgd/Qgs a fin de reducir la conmutación relacionada con la pérdida de potencia
Tamaño un 50 % más pequeño que D2PAK (TO-263)
100 % Rg y UIS probados
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