MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT055HU65G3AG, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, Cinta y carrete de 7 pines
- Código RS:
- 261-5043
- Referência do fabricante:
- SCT055HU65G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 261-5043
- Referência do fabricante:
- SCT055HU65G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | Cinta y carrete | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 29nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 14 mm | |
| Longitud | 18.58mm | |
| Altura | 3.5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado Cinta y carrete | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 29nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 14 mm | ||
Longitud 18.58mm | ||
Altura 3.5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MA
MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción de 650 V, 58 mOhm típ., 30 A en un encapsulado HU3PAK
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MOSFET SiC avanzada e innovadora de 3a generación de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.
Certificación AEC-Q101
RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas
Rendimiento de conmutación de alta velocidad
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Contacto de detección de fuente para mayor eficiencia
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